동아는 하기 작업에 따른 반도체-PCB-LCD 양산-연구장비를 공급하오니 많은 문의 하십시오.
(문의 : pcb21@korea.com)
| PRODUCTS |
PMER N-D40P PMER N-SG31B PMER N-HC40(N-HC600) PMER N-HC600 PMER P-RF시리즈(P-DF) PMER P-RZ시리즈 PMER P-RF300S PMER P-RZ300 PMER P-RF30S PMER P-RZ30 PMER P-DF40S PMER희석액P-R, P-D PMER현상액P-IS/ PMER박리액PS/ PMER P-LA900PM시리즈 PMER P-7G PMER PM TPR201 TPR201-L SUPER KING (감광유제) EPPR포토레지스트/감광액/감광유제/TOK사/TOKYO
OHKA KOGYO CO.,LTD공급
PMER시리즈 : 네가타입 & 포지타입 포토레지스트
PMER-N
PMER-N 타입은 아크릴계 포리머를 주체로한 약 알카리 수용액으로 현상하는 네가형의 포토레지스트입니다.
케미칼밀링용, 그라비아 인쇄제판용, PCB용, 명판용(NAME PLATE) 및 일렉트로포밍 등의 고정도 에칭-밀링 및 메끼레지스트로서 개발된 고감도 감광액입니다.
특징
1. 현상. 박리가 매우 간단하며 쉽습니다.
독성이 대단히
적은 알카리수용액으로 처리 됩니다.
2. 초 고감도 패턴을 추구합니다.
후막(5 ~ 25µm)
으로도 사용 할 수 있고 핸드링성이 향상 됩니다.
3. 고해상도를 가지고 있습니다.
화상의 재현성이
우수하고, 또 패턴라인의 절단도(엣지) 대단히 뛰어납니다.
4. 현상성이 뛰어납니다.
현상에 건이 있어 노광
않된 부분의 용해성은 양호 합니다. 또 현상액은 안정되 있어 장시간
사용 할 수 있습니다.
5. 도포성이 좋습니다.
후막에서도 평활(균등) 하게
PINE-HOLE 등이 없는 균일한 도포면을 얻을 수 있습니다.
6. 품질이 평균화(안정) 되어있고, 보존성이 뛰어납니다.
용도에 맞는 적합한 타입
구성 모델|
용 도 |
적합한 타입 (品名) |
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그라비아 인쇄제판 |
PMER N-SG31B. 21B. 61B |
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케미칼밀링 또는 명판(네임플레이트) |
PMER N-D40P, N-D40SY, N-HC40(N-HC600) |
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프린트기판 (PCB기판) |
PMER N-HC40 (N-HC600), TPR-201 |
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일렉트로포밍 |
PMER N-HC40 (N-HC600) |
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기타 후막고정도 대응 및 박막용 |
PMER N-HC-40 (N-HC600), PMER N-SG31B |
사양|
감광액 (포토레지스트) |
비 고 |
참 조 |
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PMER N-HC600 |
롤코터用 600CPS (靑) 고해상품 |
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PMER N-D40P |
스프레이用 40CPS (靑) 표준품 |
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PMER N-D40SY |
" (黃色) 표준품 |
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PMER N-HC40 |
" (靑) 고해상품 |
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PMER N-SG31B |
배티칼 스프레이用 9 CPS (靑) 그라비아 인쇄제판用 표준품 |
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PMER N-SG21B |
" 저 고감도 |
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PMER N-SG61B |
" 고감도用 |
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부속약품 |
비 고 |
참 조 |
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PMER 희석액 N-R |
PMER N 타입 전반적으로 사용 |
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N-D |
상기 동일 |
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N-SG |
배티칼 알카리타입用 N-SG用 |
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N-RS |
SPRAY用 N-SG用 |
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N-RA3 |
N-A3用 |
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PMER 현상액 N-A6 |
알카이 타입用 표준품 |
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N-A6G |
" N-SG용 |
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PMER 박리액 N-S |
半수용성 (용액 타입) N-HC用 |
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PMER 밀착액 H |
투명 타입 N-SG用 |
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PMER 가필액 N-A3 |
알카리박리 타입 N-SG用 |
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사용방법
1. 전처리 과정
화학처리. 물리처리 (표면연마)
어느것이나 사용 할 수 있습니다.
2. 도포 (COATING)
롤코터-딥코터-스프레이-스피너(스핀코터)등으로
도포합니다.
도포법에 의해 적당한 타입 및 희석액이
있으므로 선택하여 주십시오.
(문의 :
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3. 막후 (후막 처리)
전조후 후막은 5 ~ 25µm의
범위에서 사용아혀 주십시오. (후 공정 및 용도에 의해 결정 하여
주시십오.)
4. PRE-BACK
70℃ 온풍中에서 10 ~ 40분 정도 막의
두께에 따라 결정해 주십시오.
5. 노광량
150 ~ 350 mJ / ㎠
6 현상 (디벨러퍼: Developer)
지정 현상액을 정제된 물로 희석하여
(N-6은 8배 희석하여 사용) 25 ℃ 침궤유동법 또는 스프레이법으로
30 ~ 120초 현상하여 주십시오. (후막 및 프레-백 조건에 의해 결정)
7. 린스
현상후 즉시 현상액이 표면으로부터 없어질
때 까지 물로(린스액) 닦아 주십시오.
8. 포스트-백
100 ~ 120 ℃ 15 ~ 30分간 합니다.
후막 및 후공정에 의해 결정하여 주십시오.
(에칭의
강도 또는 메끼조건등등...)
9. 박리
NaOH 4% . 50 ~ 60 ℃, 스프레이 공법으로는 30
~ 60초로 팽윤박리 합니다.
침적법의 경우는 박리액 NS원액으로
60 ~ 70 ℃로 가온하면 60 ~ 120초로 박막 합니다.
동아는 상기 작업에 따른 반도체-PCB 양산-연구장비를 공급하오니 많은 문의 하십시오.
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  Photoresists |
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| Photoresist for Printed Wiring Board and
Chemical Milling | |
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